EUV光刻手艺的本年机成近亿推动相称坚苦,光刻机龙头ASML也是发货寸步难行,一点点改良。第台ASML颁布发表,高N光刻将在本年末发货第一台撑持高NA(数值孔径)的本逼EUV极紫外光刻机,型号“Twinscan EXE:5000”。本年机成近亿爱游戏全站app官网进口
NA数值孔径是第台光刻机光学体系的主要目标,间接决议了光刻的高N光刻现实分辩率,和最高能到达的本逼工艺节点。
ASML现有最早进的本年机成近亿EUV光刻机是NEX:3400C、NEX:3400D,发货NA只要0.33,第台爱游戏全站app官网进口对应的高N光刻分辩率为13nm,能够出产金属间距在38-33nm之间的本逼芯片。
可是,金属间距削减到30nm以下以后,也便是对应的工艺节点超出5nm,如许的爱游戏全站app在线平台分辩率就不够了,只能利用EUV两重暴光和/或暴光成形(pattern shaping)手艺来赞助,岂但会大大增添本钱,还会下降良品率。
是以,更高的NA成为必需,新一代EXE:5000就能够做到0.55 NA,光刻分辩率也将削减到8nm。
EXE:5000有点像是尝试平台,供芯片制作厂进修若何利用高NA EUV手艺,而估量2025年发货的下一代EXE:5200,能力撑持大范围量产。
Intel最后打算在其18A(1.8nm)工艺节点利用ASML的高NA EUV光刻机,2025年量产,但厥后提早到了2024年下半年,等不迭ASML的新机械。
因而,Intel就改用0.33 NA NXE:3600D/3800E,叠加两重暴光来完成18A工艺,同时利用利用资料的Endura Sculpta的暴光成形体系来尽能够削减两重暴光的利用。
虽然如斯,Intel仍然会是高NA EUV光刻机的第一家客户,能够会在18A节点的前期引入它。
台积电、三星都打算在2025年晚些时辰投产2nm工艺,也许也会用上高NA EUV光刻机。
至于这类进步前辈光刻机的价钱,不官方数据,差别报告估量在单台本钱就要3-4亿美圆,相称于国民币22-29亿元。
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网友批评
94 肯德基。
真好,买来的衣服真不错呀!
2023-09-22 来自湖南 保举
3 久歌_7378
渣滓软件,外面的工具都要钱
2023-09-22 来自湖南 保举
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2023-09-22 来自湖南 保举
75186 哈吉咩
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2023-09-22 来自湖南 保举
39 星桃的风
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