克日动静，索尼双倍索尼新一代旗舰手机Xperia 1 V在香港的传海户外宣扬海报流出，并称新机将搭载“次世代双倍低噪感光元件”。报曝早在4月27日，光将感光索尼官博@索尼-Xperia 便颁布发表行将在5月11日颁布发表新一代旗舰手机Xperia 1 V。搭载低噪

　　从海报可以或许或许看到，全新索尼Xperia 1 V的元件表面与前代不同不大，利用了直角边框设想，索尼双倍后盖持续了竖条形摄像头Deco，传海辅以中置索尼logo彰显身份。报曝另外，光将感光可以或许或许看到这次Xperia 1 V将会有三颗摄像头，搭载低噪且依然利用了蔡司T*镜头镀膜。全新

　　官博称，元件索尼Xperia新品将搭载“Next-gen Sensor”（次世代传感器），索尼双倍连系户外海报所称“次世代双倍低噪传感器”，估计这次索尼Xperia 1 V在影象硬件方面将搭载一种“双层晶体管像素布局”仓库式CMOS传感器(Stacked CMOS Image Sensor Technologywith 2-Layer Transistor Pixel)。

（传统仓库式CMOS与新型双层布局仓库式CMOS传感器布局区分表现图）

　　2021年12月16日，索尼半导体颁布发表了这一种全新的CMOS传感器。服从名和布局表现图可以或许看出，这类CMOS传感器近似于已普遍利用的仓库式CMOS传感器。

　　传统仓库式CMOS单颗像素由光电二极管与像素晶体管构成，并将处置电路安排在最下方以代替背照/前照式CMOS传感器的基板，大幅晋升了图象处置才能。

　　而新型的双层布局仓库式CMOS传感器则是将用于感光的光电二极管与用于缩小旌旗灯号的像素晶体管分手，将像素晶体管移至光电二极管下方，加上处置电路配合构成新的仓库布局。

　　这一做法使得光电二极管可以或许取得更大的感光面积。而像素晶体管也因为具有更大的空间，下降了旌旗灯号缩小时的杂讯，可以或许或许天生噪点更少观感更纯洁的图象。索尼表现，双层布局CMOS约莫“将饱和旌旗灯号程度进步了一倍”。

　　但据动静称，将光电二极管重叠在晶体管上须要极高的瞄准精度，并且键合温度远高于通俗CMOS传感器的布局，这使得大范围出产双层布局仓库式CMOS传感器的难度很是高。

　　编辑点评：索尼不愧是“手艺狂人”，若实在际表现与索尼说法符合，那末这一新型CMOS将转变现有影象东西的款式，35mm全画幅CMOS也可以或许或许到达44x33中画幅CMOS的感光才能，更不必说可以或许或许给手机上更小的CMOS带来多大的晋升。若这次Xperia 1 V搭载了这一新型CMOS，预测索尼今朝的制作工艺可以或许只是可以或许或许出产物理上较小的CMOS，而要出产更大画幅CMOS则可以或许须要更多的时候霸占手艺困难。